Finne zuletzt Ersatzmetallgate FinFET

摘要

FinFET-Einheiten und Verfahren zu ihrer Fertigung werden bereitgestellt. In einem Aspekt beinhaltet ein Verfahren zur Fertigung einer FET-Einheit die folgenden Schritte. Ein Wafer, der eine aktive Schicht auf einem Isolator aufweist, wird bereitgestellt. Eine Vielzahl von Finnen-Hartmasken wird auf der aktiven Schicht strukturiert. Ein Dummy-Gate wird über einem mittleren Abschnitt der Finnen-Hartmasken platziert. Ein oder mehrere Dotiermittel werden in Source- und Drain-Bereichen der Einheit implantiert. Eine dielektrische Füllmaterialschicht wird um das Dummy-Gate herum abgeschieden. Das Dummy-Gate wird entfernt, um einen Graben in der dielektrischen Füllmaterialschicht auszubilden. Die Finnen-Hartmasken werden dazu verwendet, eine Vielzahl von Finnen in der aktiven Schicht in dem Graben zu ätzen. Die Dotiermittel werden aktiviert. Ein Ersatzgate wird in dem Graben ausgebildet, wobei der Schritt der Aktivierung der Dotiermittel vor dem Schritt der Ausbildung des Ersatzgate durchgeführt wird.