| 发明名称 | 半导体器件及其编程方法 | ||
| 摘要 | 一种对半导体器件进行编程的方法，包括以下步骤：对选在的存储器单元执行最低有效位(LSB)编程操作；对除已执行了LSB编程操作的存储器单元以外的其余的存储器单元执行软编程操作；以及对从已执行了LSB编程操作的存储器单元和已执行了软编程操作的存储器单元中选择的存储器单元执行最高有效位(MSB)编程操作。 | ||
| 申请公布号 | CN102820059A | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN201210191136.6 | 申请日期 | 2012.06.11 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 安圣薰 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;俞波 |
| 主权项 | 一种对半导体器件进行编程的方法，包括以下步骤：对选中的存储器单元执行最低有效位LSB编程操作；对除已执行了LSB编程操作的存储器单元以外的其余的存储器单元执行软编程操作；以及对从已执行了LSB编程操作的存储器单元和已执行了软编程操作的存储器单元中选择的存储器单元执行最高有效位MSB编程操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||