| 发明名称 | 包含反噪声发生器的半导体存储器件及其控制方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明一方面的半导体存储器件，包括：基准电压源，其与包括在存储器中的单元的电容连接；缓冲电路，其保持将被写入到单元中的数据；以及反噪声发生器，其根据保持在缓冲电路中的数据向基准电压源输出反噪声电流，所述反噪声电流抵消通过重写单元中的数据产生的噪声电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101388242B | 申请公布日期 | 2012.12.12 |
| 申请号 | CN200810160809.5 | 申请日期 | 2008.09.16 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 高桥弘行 |
| 分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：基准电压源，所述基准电压源与包括在存储器中的单元的电容连接；缓冲电路，所述缓冲电路保持将被写入到所述单元中的数据；以及反噪声发生器，所述反噪声发生器根据保持在所述缓冲电路中的数据向所述基准电压源输出反噪声电流，所述反噪声电流抵消通过重写所述单元中的所述数据产生的噪声电流。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||