发明名称 一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法
摘要 一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法,涉及一种压力传感器。提供一种基于滑膜阻尼和双压力膜结构的硅微谐振式压力传感器及其制作方法。设有压力敏感层、谐振结构层、真空封装盖帽层和引线电极,所述压力敏感层的边框上部与谐振结构层边框的下部相连,压力敏感层上部边框内设有两个压力膜并形成两个放置平行硅岛的空腔,硅岛的顶端与谐振结构层上的第1传递梁和第2传递梁相连,两个空腔之间具有沟道,使谐振结构层上的第1谐振梁、第2谐振梁、第1质量块和第2质量块有自由振动的空间,谐振结构层的边框上部与真空封装盖帽层的下部边框相连,盖帽层下部边框内形成空腔,真空封装盖帽层上开有引线孔,引线电极通过引线孔与谐振结构层相连。
申请公布号 CN102809450A 申请公布日期 2012.12.05
申请号 CN201210282401.1 申请日期 2012.08.09
申请人 厦门大学 发明人 王凌云;杜晓辉;邱小椿;何杰;何广奇;李益盼;孙道恒
分类号 G01L1/10(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I 主分类号 G01L1/10(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人 马应森
主权项 一种硅微谐振式压力传感器,其特征在于设有压力敏感层、谐振结构层、真空封装盖帽层和引线电极,所述压力敏感层的边框上部与谐振结构层边框的下部相连,压力敏感层上部边框内设有2个压力膜并形成2个放置平行硅岛的空腔,硅岛的顶端与谐振结构层上的第1传递梁和第2传递梁相连,2个空腔之间具有沟道,使谐振结构层上的第1谐振梁、第2谐振梁、第1质量块和第2质量块有自由振动的空间,谐振结构层的边框上部与真空封装盖帽层的下部边框相连,盖帽层下部边框内形成空腔,真空封装盖帽层上开有引线孔,引线电极通过引线孔与谐振结构层相连。
地址 361005 福建省厦门市思明南路422号