| 主权项 |
一种热介面材料之制备方法，其包括下述步骤：提供复数碳奈米管，所述复数碳奈米管生长于一导电基底；将所述形成有复数碳奈米管之导电基底作为工作电极，铂为材料作为对电极以及银/氯化银为材料作为参考电极，并将该工作电极、对电极与参考电极置于一三极式电解池之电解液中，通过三极式电化学反应于所述复数碳奈米管表面形成磁性微粒；将所述具有磁性微粒之复数碳奈米管分散于一基体材料中；固化所述基体材料，形成热介面材料。如申请专利范围第1项所述之热介面材料之制备方法，其中，所述导电基底包括导电玻璃基板、金属基板或具有金属导电层之玻璃基板。如申请专利范围第1项所述之热介面材料之制备方法，其中，所述复数碳奈米管形成一碳奈米管阵列。如申请专利范围第3项所述之热介面材料之制备方法，其中，所述碳奈米管阵列之形成方法包括化学气相沈积法、等离子辅助化学气相沈积法、等离子辅助热丝化学气相沈积法或印刷法。如申请专利范围第1项所述之热介面材料之制备方法，其中，所述磁性微粒之材料包括铁、钴、镍。如申请专利范围第1项所述之热介面材料之制备方法，其中，所述基体材料包括矽胶系列、石腊、聚乙烯乙二醇、聚酯、环氧树脂系列、缺氧胶系列或压克力胶系列。如申请专利范围第1项至第6项中任意一项所述之热介面材料之制备方法，其中，所述热介面材料制备方法进一步包括，施加磁场作用使所述复数碳奈米管于基体材料中定向排列。 |
