| 发明名称 | 晶体管形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成阱区；在所述衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化层及位于栅极氧化层表面的栅极；形成位于所述栅极结构两侧衬底内的源区和漏区；形成所述源区和漏区后，对所述衬底进行第一离子掺杂，以进行阈值电压调节。通过将阈值电压调节的第一离子注入在源/漏区后进行，降低第一离子注入前的热处理工艺对第一离子的扩散影响，使得大部分的第一离子分布于衬底表面附近，降低扩散至衬底内部的第一离子的浓度，减小所述源区/漏区与衬底之间的结电容，减小了结漏电流，提高器件的运行速度，进而提高器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102800593A | 申请公布日期 | 2012.11.28 |
| 申请号 | CN201110136713.7 | 申请日期 | 2011.05.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内形成阱区；在所述衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极氧化层及位于栅极氧化层表面的栅极；形成位于所述栅极结构两侧衬底内的源区和漏区；形成所述源区和漏区后，对所述衬底进行第一离子掺杂，以进行阈值电压调节。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||