发明名称 溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法
摘要 一种溅射用钽制线圈,该钽制线圈配置在基板和溅射靶之间,其特征在于,具有使该线圈表面的表面粗糙度Rz为150μm以上且横向为15~30TPI(Threads per inch/每英寸螺纹数)、纵向为10~30TPI的凹凸。其课题是,为了在基板和溅射靶之间配置的钽制线圈中防止在线圈的表面堆积的溅射粒子剥离、其薄片飞散到基板表面并附着、而成为产生微粒及产生电弧的原因,提供一种采取了用于抑制在该线圈的表面堆积的溅射粒子的剥落的对策,由此提高电子零件的质量和生产性并可稳定地提供半导体元件及设备的技术。
申请公布号 CN102791903A 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN201180013804.X 申请日期 2011.03.14
申请人 吉坤日矿日石金属株式会社 发明人 塚本志郎
分类号 C23C14/00(2006.01)I;C23C14/44(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I 主分类号 C23C14/00(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 高培培;车文
主权项 一种溅射用钽制线圈,该钽制线圈配置在基板和溅射靶之间,其特征在于,具有使该线圈表面的表面粗糙度Rz为150μm以上且横向为15~30TPI、纵向为10~30TPI的凹凸。
地址 日本东京