| 摘要 |
Die Abmessungen der Verformungsspielräume (Xh, Xp) einer Dichtung (8), in einem Zustand, bei dem eine Öffnung (2) zum Transferieren eines Wafer in einen/aus einem Behälter mit einem Abdeckungskörper (5) geschlossen ist, und ein Spalt zwischen dem Stirnabschnitt des Abdeckungskörpers (5) und dem Stirnabschnitt der Öffnung (2) mit Hilfe der Dichtung (8) abgedichtet ist, sind in einem Gebiet kleiner ausgebildet, das einen Stirnabschnitt (2p) senkrecht zu der Oberfläche des Halbleiterwafer (W) abdichtet, als jene in einem Gebiet, das einen Stirnabschnitt (2h) parallel zu der Oberfläche des Halbleiterwafer (W) abdichtet, wobei die Gebiete die Teile des Stirnabschnitts der Öffnung (2) sind. Dadurch wird der Halbleiterwafer (W) durch Stäube und dergleichen, die von der Außenseite in einem Augenblick angesaugt werden, wenn der Abdeckungskörper (5) geöffnet ist, nicht kontaminiert.
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