| 发明名称 | MOS器件掺杂缺陷的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MOS器件掺杂缺陷的检测方法，包括步骤：预先建立缺陷模型库；提供待检测MOS器件，所述待检测MOS器件包括位于半导体器件上与半导体器件连通的金属插塞；利用扫描电子显微镜对所述MOS器件表面进行测试得到测试图，所述测试图包括金属插塞对应的图形；利用所述测试图和所述缺陷模型图比对，当所述测试图中金属插塞对应的图形和所述缺陷模型图中金属插塞对应的图形亮度越接近，则所述待检测MOS器件存在掺杂缺陷的区域和该缺陷模型图对应的MOS器件缺失的掺杂区域越接近。利用本发明简化了检测步骤，提高了检测的精确度。 | ||
| 申请公布号 | CN102054723B | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN200910207783.X | 申请日期 | 2009.10.30 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 蔡建瓴;杜建;王德进;张克云;方浩 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G01Q30/02(2010.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种MOS器件掺杂缺陷的检测方法，其特征在于，包括步骤：预先建立缺陷模型库，所述缺陷模型库包括掺杂区域缺失的MOS器件以及其对应的扫描电子显微镜测试图，即缺陷模型图，所述缺陷模型图包括半导体器件上的金属插塞所对应的图形；提供待检测MOS器件，所述待检测MOS器件包括位于半导体器件上与半导体器件连通的金属插塞；利用扫描电子显微镜对所述MOS器件表面进行测试得到测试图，所述测试图包括金属插塞对应的图形；利用所述测试图和所述缺陷模型图比对，当所述测试图中金属插塞对应的图形和所述缺陷模型图中金属插塞对应的图形亮度越接近，则所述待检测MOS器件存在掺杂缺陷的区域和该缺陷模型图对应的MOS器件缺失的掺杂区域越接近。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||