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Chalkogenid enthaltende Halbleitervorrichtungen können mit einem Übergangsfilm zwischen einem Chalkogenidfilm und einem weiteren Film gebildet werden. Die Chalkogenidkonzentration des Übergangsfilms kann mit steigender Entfernung vom Chalkogenidfilm abnehmen, wohingegen die Konzentration des anderen Filmmaterials über die Dicke des Übergangsfilms zunimmt, wenn man sich vom Chalkogenidfilm wegbewegt.
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