| 发明名称 | 多晶硅生产方法和系统 | ||
| 摘要 | 多晶硅生产方法和系统。该方法包括：提供由三氯氢硅和二氯二氢硅组成的硅源，其中三氯氢硅和二氯二氢硅的比例范围在20:1和30:1之间；加热硅源以使其形成气体三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体；提供氢气；使三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体与氢气混合；提供设置有硅芯的还原炉；以及在还原炉中引入混合后的三氯氢硅气体、二氯二氢硅气体与氢气，并且使还原炉中的气体压力为0.4-0.6Mpa，硅芯温度为1080-1150℃，从而在硅芯上还原制备多晶硅。由于本发明将精炼提纯的三氯氢硅和二氯二氢硅按照特定比例混合进入还原炉，因此可获得快速的硅沉积速率，同时又不会发生均相成核现象。另外，本发明还显著提高了多晶硅的生产质量、大大降低了能耗和生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102674358A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201110054590.2 | 申请日期 | 2011.03.08 |
| 申请人 | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 | 发明人 | 齐林喜;陈琳;刘占卿 |
| 分类号 | C01B33/03(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/03(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张群峰;杨楷 |
| 主权项 | 一种多晶硅生产方法，包括：提供由三氯氢硅和二氯二氢硅组成的硅源，其中三氯氢硅和二氯二氢硅的比例范围在20:1和30:1之间；加热硅源以使其形成气体三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体；提供氢气；使三氯氢硅气体和二氯二氢硅气体与氢气混合；提供设置有硅芯的还原炉；以及在还原炉中引入混合后的三氯氢硅气体、二氯二氢硅气体与氢气，并且使还原炉中的气体压力为0.4‑0.6Mpa，硅芯温度为1080‑1150℃，从而在硅芯上还原制备多晶硅。 | ||
| 地址 | 015543 内蒙古巴彦淖尔乌拉特后旗青山工业园区 | ||