发明名称 |
修整硬遮罩层的方法、形成金氧半导体电晶体之闸极的方法以及用来形成金氧半导体电晶体之闸极的堆叠结构 |
摘要 |
一种修整硬遮罩层的方法,提供一基底、一硬遮罩层、一三层堆叠层位于基底上。三层堆叠层包含有一顶层光阻、一含矽层以及一底层光阻。依序图案化顶层光阻、含矽层、底层光阻和硬遮罩层,然后对硬遮罩层进行一修整制程。由于本发明之底层光阻较薄且蚀刻过程中有所耗损,所以不会发生光阻线倒塌的情况。 |
申请公布号 |
TWI372427 |
申请公布日期 |
2012.09.11 |
申请号 |
TW096100287 |
申请日期 |
2007.01.04 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
发明人 |
王明俊;陈薏新;杨闵杰;廖俊雄 |
分类号 |
H01L21/336;H01L21/312 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |