发明名称 |
一种铸造大晶粒硅锭的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用定向凝固生长法铸造大晶粒硅锭的方法,主要包含以下步骤:(1)将按一定晶向切割的单晶硅板块作为籽晶铺在石英坩埚的底层;(2)在籽晶上面装填适量的多晶硅硅料和掺杂元素;(3)将装有上述原料的坩埚投入多晶炉中,抽真空并加热,使上部的硅料熔化。熔化后期单晶板块开始熔化时,通过调整隔热笼升起高度,控制坩埚底部的温度,使籽晶部分熔化;(4)进入长晶程序,通过控制加热器的功率和提升隔热笼,形成垂直的温度梯度,使硅晶体沿着未完全熔化的单晶硅板块的方向生长,经过退火和冷却工序得到大晶粒的多晶硅晶锭。 |
申请公布号 |
CN102653881A |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN201210118729.X |
申请日期 |
2012.04.20 |
申请人 |
镇江环太硅科技有限公司 |
发明人 |
司荣进;袁志钟;王禄堡 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 |
代理人 |
季萍 |
主权项 |
一种铸造大晶粒硅锭的方法,其特征在于,主要包含以下步骤:(1)将按[100]晶向切割的单晶硅板块作为籽晶铺设在石英坩埚的底层;(2)在籽晶上面装填多晶硅料和掺杂元素;(3)将装有所述原料的坩埚投入多晶炉中,抽真空加热,使籽晶上部的多晶硅料熔化,到多晶硅料熔化后期单晶硅板块开始熔化时,通过控制坩埚底部的温度,使籽晶部分熔化。(4)进入长晶程序,控制加热器的功率,从坩埚底部形成垂直的温度梯度,使硅晶体沿着未完全熔化的单晶硅板块的方向生长;(5)长晶完成后,再经过退火和冷却工序得到大晶粒硅锭。 |
地址 |
212211 江苏省镇江市扬中市油坊镇环太工业园区 |