气相外延装置和气相外延方法

摘要

本发明公开了一种气相外延装置和气相外延方法，公开的气相外延装置包括反应腔和设于所述反应腔内部的若干反应气体喷淋头、所述若干反应气体喷淋头位置对应的若干托盘，以及驱动所述托盘的动力轴，所述动力轴包括公转轴和若干自转轴，所述自转轴与所述托盘一一对应；各所述托盘与各所述自转轴连接，或交替地与所述公转轴和各所述自转轴连接。利用本发明所提供的气相外延装置和气相外延方法，既可以有效减少化学气相外延时流动失稳，减少寄生反应的发生；又可以有效解决量子阱的厚度控制问题，为不同的异质结生长过程提供不同的选择，提高了半导体元件的质量。

主权项

一种气相外延装置，包括反应腔和设于所述反应腔内部的若干反应气体喷淋头、与所述若干反应气体喷淋头位置对应的若干托盘，以及驱动所述托盘的动力轴，其特征在于，所述动力轴包括公转轴和若干自转轴，所述自转轴与所述托盘一一对应；各所述托盘与各所述自转轴连接，或交替地与所述公转轴和各所述自转轴连接；还包括与所述公转轴固定连接的分度盘，各所述托盘通过所述分度盘与所述公转轴连接。