| 发明名称 | 氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使是极薄膜状态也能够使物理特性和电特性优异的氮化硅膜成膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为氮化硅膜的晶种的晶种层(步骤2～4)。 | ||
| 申请公布号 | CN102560417A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110433909.2 | 申请日期 | 2011.12.21 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 村上博纪;渡边要介;长谷部一秀 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种氮化硅膜的成膜方法，其特征在于，其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使所述氮化硅膜在所述被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为所述氮化硅膜的晶种的晶种层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||