| 发明名称 | 阶梯式栅氧化层的制造方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种阶梯式栅氧化层的制造方法及半导体器件，其中，阶梯式栅氧化层的制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜层；图形化掩膜层至暴露半导体衬底；在露出的半导体衬底上形成第一栅氧化层；去除掩膜层至暴露半导体衬底，在露出的半导体衬底上形成第二栅氧化层。与现有技术相比，本发明阶梯式栅氧化层的制造方法可避免半导体衬底内硅材质以及掺杂物浓度损耗以及场氧化层产生缺损的问题，并使得第一栅氧化层与第二栅氧化层可相对平滑地过渡，提高具有该阶梯式栅氧化层的半导体器件的品质。 | ||
| 申请公布号 | CN101740367B | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN200810203542.3 | 申请日期 | 2008.11.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 高大为;蒲贤勇;陈轶群;刘伟;谢红梅;杨广立;滕丽华;程勇;刘丽 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种阶梯式栅氧化层的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掩膜层；图形化掩膜层至暴露半导体衬底；在所述露出的半导体衬底上形成第一栅氧化层；去除掩膜层至暴露半导体衬底，在所述露出的半导体衬底上形成第二栅氧化层，所述第一栅氧化层具有比第二栅氧化层更厚的厚度，所述第一栅氧化层在与第二栅氧化层相接的交接处呈鸟嘴状或凸缘状；在所述阶梯式栅氧化层的制造过程中，不进行去除第一栅氧化层、第二栅氧化层的工艺，以避免半导体衬底内硅材质以及掺杂物浓度减少、以及场氧化层产生缺损所导致的晶体管电学性能下降的问题。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||