提高二氧化硅膜品质的新颖沉积-等离子硬化循环方法

摘要

描述以二氧化硅充填基板上间隙的方法。该方法包括下列步骤：将有机硅前体与氧前体导入沉积腔，使前体开始反应以形成第一二氧化硅层于基板上的间隙内，然后蚀刻该第一二氧化硅层以减少该层中的碳含量。该方法亦包括形成第二二氧化硅层于该第一层上，然后蚀刻该第二层以减少该第二层中的碳含量。间隙被填满后，退火处理该些二氧化硅层。

主权项

一种以二氧化硅充填基板上的间隙的方法，所述方法包含：将有机硅前体与氧前体导入沉积腔；使所述些前体反应以形成第一二氧化硅层于所述基板上的间隙中；蚀刻所述第一二氧化硅层以减少所述层中的碳含量，其中蚀刻所述第一二氧化硅层包括(1)将所述第一二氧化硅层暴露于较低密度的等离子来解离较大的有机基团且移除所述第一二氧化硅层中的一部分碳，并随后(2)将所述第一二氧化硅层暴露于较高密度的氧等离子来移除所述第一二氧化硅层中的一部分氢氧基；形成第二二氧化硅层于所述第一层上，然后蚀刻所述第二层以减少所述层中的碳含量；以及待所述间隙被填满后退火处理所述些二氧化硅层。