| 发明名称 | 一种旱地甘薯栽培方法 | ||
| 摘要 | 一种旱地甘薯栽培方法，秋后立冬前选择日均气温在3℃以上的时间，深耕25厘米；划行0.8米为一种植带，在划行的地表撒草木灰肥5公斤|亩或50%硫酸钾20公斤|亩，挖沟起垄，起半圆形高垄，垄沟的沟底宽度是0.2米，高垄的高度是0.3米，高垄的底宽是0.6米，高垄的顶宽是0.5米，用宽度是90-100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖；于四月中下旬或五月上旬在覆盖好的垄膜上两边部用直径1.5厘米，长0.2米的尖头棒等距离扎孔，等株距是0.2米栽种育好的甘薯苗，亩栽5500株。本发明比常规种植可节约劳力50%，提高产量一倍。 | ||
| 申请公布号 | CN102487714A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110426707.5 | 申请日期 | 2011.12.19 |
| 申请人 | 吴太平 | 发明人 | 吴太平 |
| 分类号 | A01G1/00(2006.01)I | 主分类号 | A01G1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人 | 卢茂春 |
| 主权项 | 一种旱地甘薯栽培方法，选择旱地红壤土或纯砂土质地块，土壤有机质含量为1ppm，秋后立冬前选择日均气温在3℃以上的时间，深耕25厘米；早春土壤消冻后，在春3月中下旬，有10‑13毫米降水后，地表干时，用划行器划行，划行0.8米为一种植带，在划行的地表撒草木灰肥5公斤|亩或50%硫酸钾20公斤|亩，挖沟起垄，起半圆形高垄，垄沟的沟底宽度是0.2米，高垄的高度是0.3米，高垄的底宽是0.6米，高垄的顶宽是0.5米，用宽度是90‑100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖；于四月中下旬或五月上旬在覆盖好的垄膜上两边部用直径1.5厘米，长0.2米的尖头棒等距离扎孔，等株距是0.2米栽种育好的甘薯苗，亩栽5500株。 | ||
| 地址 | 048000 山西省晋城市城区新市东街800号2号楼2单元401室 | ||