半导体元件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制作方法。制作方法包括以下步骤：提供一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；形成一高介电常数层位于该半导体基材之上；形成一盖层位于该高介电常数层之上；形成一金属层位于该盖层之上；移除位于该第二区域的金属层与盖层；形成一多晶硅层位于该第一区域的金属层之上，且位于该第二区域的高介电常数层之上；以及于该第一区域中形成一含有该金属层的有源元件，且于该第二区域中形成不含有该金属层的无源元件。本发明提供的半导体元件及其制作方法，能够解决在整合高介电常数栅极介电层/金属栅极电极于CMOS工艺时产生的材料之间不相容、复杂的工艺、以及热预算等问题。

主权项

一种半导体元件的制作方法，包括以下步骤：提供一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；形成一高介电常数层于该半导体基材之上；形成一盖层于该高介电常数层之上；形成一金属层于该盖层之上；移除位于该第二区域的金属层与盖层；形成一多晶硅层于该第一区域的金属层之上，与于该第二区域的高介电常数层之上；以及于该第一区域中形成一含有该金属层的有源元件，且于该第二区域中形成不含有该金属层的无源元件。