| 发明名称 | 物理检测样品制取方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种物理检测样品制取方法，包括：提供一晶圆截块，所述晶圆截块包括：依次生长的第一物理层、第二物理层和第三物理层，所述第二物理层与所述第一物理层相接触的表面为待观测面；剥离所述第一物理层，以暴露所述待观测面，从而形成物理检测样品。由此制得的物理检测样品，其待观测面位是暴露出来的，即待观测面不受任何物理层的阻挡，利用扫描电镜观测所述物理检测样品时，能够很清楚的观测待观测面，由此提高了物理检测的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102466577A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010530825.6 | 申请日期 | 2010.11.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 张佐兵;高慧敏;张顺勇;林岱庆;陈宏领 |
| 分类号 | G01N1/28(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G01N1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种物理检测样品制取方法，其特征在于，包括：提供一晶圆截块，所述晶圆截块包括：依次生长的第一物理层、第二物理层和第三物理层，所述第二物理层与所述第一物理层相接触的表面为待观测面；剥离所述第一物理层，以暴露所述待观测面，从而形成物理检测样品。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||