力学量测定装置

摘要

本发明提供一种力学量测定装置，可以高精度地测定特定方向的应变分量。该力学量测定装置在半导体单晶基板、半导体芯片内至少形成两组以上的电桥电路，在上述电桥电路中，一个电桥电路形成流有电流并测定电阻值变动的方向(长边方向)与该半导体单晶基板的<100>方向平行的n型扩散电阻，另一个电桥电路组合形成与<110>方向平行的p型扩散电阻。

主权项

一种力学量测定装置，在单晶半导体基板表面上具备应变检测部，并且通过安装在被测定物上来测定应变，其特征在于，在所述单晶半导体基板上具备：由4个扩散电阻形成的惠斯登电桥；和放大从所述惠斯登电桥输出的信号的放大器电路，以使构成所述放大器电路的反馈电阻群的长边方向相同的方式，在所述单晶半导体基板上形成所述反馈电阻群。