发明名称 一种电子扫描显微镜环境磁场的监测方法
摘要 本发明公开了一种电子扫描显微镜环境磁场的监测方法,其中,包括以下步骤:选定所量测硅片的一线条图形;在所述线条图形的一侧选取多个测量点,并且采集所述测量点的量测数据,在其另一侧采取所述测量点的相对点的量测数据;计算出所述两侧相对应点的量测数据之间的第一差值;获取所述第一差值之中的最大差值和最小差值,并计算出所述最大差值和所述最小差值之间的第二差值,将所述第二差值作为测量结果;将所述测量结果记录在环境磁场影响控制图中;根据每次记录在所述环境影响控制图中的所述测量结果,获得一环境磁场影响的动态监控图;本发明提供一种借助测量图形的线宽或线宽粗糙度对扫描电子显微镜环境磁场的进行监测方法。
申请公布号 CN102445567A 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN201110307987.8 申请日期 2011.10.12
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 夏婷婷;毛智彪;马兰涛
分类号 G01Q30/18(2010.01)I 主分类号 G01Q30/18(2010.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 王敏杰
主权项 一种电子扫描显微镜环境磁场的监测方法,利用电子扫描显微镜对一硅片进行扫描,获得所述硅片的线条图形,其特征在于,包括以下步骤:       在所述线条图形选定其中一段图形的一侧选取多个测量点,并且采集所述测量点的量测数据,在其另一侧采取所述测量点的相对点的量测数据;       分别计算出所选取的相对应点的所述量测数据之间的第一差值;       获取计算出的所述第一差值之中的最大差值和最小差值,并计算出所述最大差值和所述最小差值之间的第二差值,将所述第二差值作为测量结果;       将所述测量结果记录在环境磁场影响控制图中;       根据每次记录在所述环境影响控制图中的所述测量结果,获得一环境磁场影响的动态监控图;       根据所述动态监控图,监测扫描式电子显微镜的环境磁场变化,并判定对所述硅片的处理方案。
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
您可能感兴趣的专利