一种基于标准单栅CMOS工艺的EEPROM

摘要

本发明公开了一种基于标准单栅CMOS工艺的EEPROM，属于集成电路领域。本发明包括一MOS管，所述MOS管上部覆盖有N层金属层，第N层金属层上设有一电容结构，第N层金属层覆盖所述电容结构的底部；第N层金属层包括电隔离的a区和b区，b区位于a区外围，a区与所述MOS管栅极部位对应，a区电连接到所述MOS管的栅极且与所述电容结构底部电连接，b区电连接到所述电容结构的顶部，所述电容结构的顶部引出作为EEPROM控制栅，所述MOS管的栅极作为EEPROM的浮栅，MOS管的源极、漏极和衬底分别引出作为EEPROM的源极、漏极和衬底。本发明单元面积很小，有利于实现高集成密度的应用。

主权项

一种基于标准单栅CMOS工艺的EEPROM，包括一MOS管，其特征在于所述MOS管上部覆盖有N层金属层，第N层金属层上设有一电容结构，第N层金属层覆盖所述电容结构的底部；第N层金属层包括电隔离的a区和b区，b区位于a区外围，a区与所述MOS管栅极部位对应，a区电连接到所述MOS管的栅极且与所述电容结构底部电连接，b区电连接到所述电容结构的顶部，所述电容结构的顶部引出作为EEPROM控制栅，所述MOS管的栅极作为EEPROM的浮栅，MOS管的源极、漏极和衬底分别引出作为EEPROM的源极、漏极和衬底；其中，N为自然数。