光学半导体元件及其制造方法

摘要

根据本发明之方面，提供一种光学半导体元件，其包括：第一AlN覆层；形成于第一AlN覆层上的第一氮化物半导体导引层，第一氮化物半导体导引层之折射率大于第一AlN覆层的折射率；形成于该第一氮化物半导体导引层上之氮化物半导体核心层，该氮化物半导体核心层之折射率大于该第一AlN覆层的折射率且小于第一氮化物半导体导引层之折射率；形成于该氮化物半导体核心层上之第二氮化物半导体导引层，第二氮化物半导体导引层之折射率大于氮化物半导体核心层之折射率；形成于该第二氮化物半导体导引层上之第二AlN覆层。