发明名称 |
驱动相变存储设备的方法 |
摘要 |
公开了一种用于驱动包括相变电阻器的相变存储设备的方法。该方法包括:向该相变电阻器施加触发电压第一写时间,以预热该相变电阻器;向该相变电阻器施加第一写电压第二写时间,以控制该相变电阻器的第一状态;以及向该相变电阻器施加第二写电压第三写时间,以控制该相变电阻器的第二状态。 |
申请公布号 |
CN101354912B |
申请公布日期 |
2012.04.25 |
申请号 |
CN200810127056.8 |
申请日期 |
2008.06.19 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
姜熙福;洪锡敬 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
钱大勇 |
主权项 |
一种用于驱动包括相变电阻器的相变存储设备的方法,该方法包括:向该相变电阻器施加触发电压第一写时间,以预热该相变电阻器;向该相变电阻器施加第一写电压第二写时间,以将该相变电阻器控制在第一状态;以及向该相变电阻器施加第二写电压第三写时间,以将该相变电阻器控制在第二状态,其中,该触发电压具有高于该第一写电压的电压电平且低于该第二写电压的电压电平的电压电平。 |
地址 |
韩国京畿道 |