| 发明名称 | 一种倒金字塔形结构LED芯片的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种倒金字塔形结构LED芯片的制备方法，通过两条激光划痕的角度控制，使多余的蓝宝石衬底分离出来，再经过腐蚀或者机械抛光工艺，使划痕侧面光滑平整。最后，得到外观较好的倒金字塔形LED芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN102368520A | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN201110331173.8 | 申请日期 | 2011.10.27 |
| 申请人 | 华灿光电股份有限公司 | 发明人 | 宋超;刘榕;张建宝 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 36100 | 代理人 | 胡里程 |
| 主权项 | 一种倒金字塔形结构LED芯片的制备方法，其特征在于：该方法包括使用激光对管芯侧面倾斜切割，可以使用两束激光同时切割或者一束激光切割多次的方法，在去除多余蓝宝石衬底后，抛光划痕。 | ||
| 地址 | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 | ||