发明名称 直接接触晶粒连结
摘要 一种半导体晶粒,将藉由数个具弹性夹具连结于电晶体封件,以其一端系结于半导体晶粒之顶部面,另一端系结于某一固定面,该固定面可为电晶体封件之射极、集极或基极导线架。夹具之形状与组成,应使其具有弹力,因此晶粒之底部面,能完成且保持在均一且恒定状态下,与电晶体封件晶粒之类似安装接合盘或非导电性基片之连结区域相接触。夹具以具导电性为佳,可由晶粒各个电晶体晶格,导引电流至夹具所系结之各个导线架。
申请公布号 TW412818 申请公布日期 2000.11.21
申请号 TW086119321 申请日期 1997.12.19
申请人 艾瑞克生股份有限公司 发明人 拉瑞C.莱顿;汤玛斯W.莫勒
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种电晶体装置,包含:一半导体晶粒,具有一底部面与一顶部面;一基片,具有一顶部面;数个导线架连结于基片;及数个具弹性夹具,每一个具有一第一与一第二尾端,其中具弹性夹具之第一尾端系结于个别对应之导线架,其中具弹性夹具之第二尾端系结半导体晶粒之顶部面,具弹性夹具可施加足够力量于半导体晶粒,可令晶粒之底部能完成而且保持在均一且恒定条件下,与基片顶部面相接触。2.根据申请专利范围第1项之电晶体装置,另包含一成形于晶粒顶部面之电晶体晶格,其中一第一具弹性夹具在介于电晶体晶格与第一具弹性夹具之第一尾端所系结之各个导线架之间导引电流。3.根据申请专利范围第2项之电晶体装置,其中一第二具弹性夹具在介于电晶体晶格与第二具弹性夹具之第一尾端所系结之各个导线架之间导引电流。4.根据申请专利范围第3项之电晶体装置,其中第一具弹性夹具之第一尾端系结于一输入电流导线架,第二具弹性夹具之第一尾端系结于一输出电流导线。5.根据申请专利范围第1项之电晶体装置,其中第一与第二具弹性夹具之第一尾端系结于一基极导线架,第三与第四具弹性夹具之第一尾端系结于电晶体装置个别的集极导线架。6.一种电晶体装置,包含:一安装接合盘,具有一顶部面;一半导体晶粒,具有一顶部面与一底部面;数个导线架连结于安装接合盘之顶部面;及数个具弹性夹具,每一个具有一第一与一第二尾端,其中具弹性夹具之第一尾端系结于个别对应之导线架,其中具弹性夹具之第二尾端系结半导体晶粒之顶部面,因此具弹性夹具可施加足够力量于半导体晶粒,可令晶粒之底部能完成而且保持在均一且恒定条件下,与安装接合盘顶部面相接触。7.根据申请专利范围第6项之电晶体装置,另包含一成形于晶粒顶部面之电晶体晶格,其中一第一具弹性夹具,在介于电晶体晶格与第一具弹性夹具之第一尾端所系结之各个导线架之间导引电流。8.根据申请专利范围第7项之电晶体装置,其中一第二具弹性夹具,在介于电晶体晶格与第二具弹性夹具之第一尾端所系结之各个导线架之间导引电流。9.根据申请专利范围第8项之电晶体装置,其中第一具弹性夹具之第一尾端系结于一输入电流导线架,第二具弹性夹具之第一尾端系结于一输出电流导线架。10.根据申请专利范围第6项之电晶体装置,其中第一与第二具弹性夹具之第一尾端系结于一基极导线架,第三与第四具弹性夹具之第一尾端系结于电晶体装置个别的集极导线架。11.一种电晶体装置,包含:一安装接合盘,具有一顶部面;一基片,具有一顶部面与一底部面,基片之底部面系连结于安装接合盘之顶部面,基片另具有成形于此之晶粒连结口;一半导体晶粒,具有一顶部面与一底部面;数个导线架连结于基片之顶部面;及数个具弹性夹具,每一个具有一第一与一第二尾端,其中具弹性夹具之第一尾端系结于一个别对应之导线架,其中具弹性夹具之第二尾端系结半导体晶粒之顶部面,具弹性夹具可施加足够力量于半导体晶粒,可令晶粒之底部能完成而且保持在均一且恒定条件下,与安装接合盘顶部面相接触,其中半导体晶粒系位于基片晶粒连结口。12.根据申请专利范围第11项之电晶体装置,乃包含一成形于晶粒顶部面之电晶体晶格,其中一第一具弹性夹具在介于电晶体晶格与第一具弹性夹具之第一尾端所系结之各个导线架之间导引电流。13.根据申请专利范围第11项之电晶体装置,另包含数个成形于晶粒顶部面之电晶体晶格,其中一或数个具弹性夹具在介于各个相对应电晶体晶格与相对应具弹性夹具之第一尾端所系结之导线架之间导引电流。14.根据申请专利范围第11项之电晶体装置,其中一第一具弹性夹具之第一尾端系结于一输入电流导线架,一第二具弹性夹具之第一尾端系结于一输出电流导线架。15.根据申请专利范围第11项之电晶体装置,其中第一与第二具弹性夹具之第一尾端系结于一基极导线架,第三与第四具弹性夹具之第一尾端系结于电晶体装置个别的集极导线架。图式简单说明:第一图为现有共晶系结程序用以系结半导体晶粒至电晶体封件基片之侧视图;第二图为现有功率电晶体封件(未封装)之透视图;第三图为依据本发明使用直接接触晶粒连结功率电晶体之第一项具体实例透视图;第四图为依据本发明使用功率电晶体封件之第二项具体实例之透视图;及第五图为依据本发明使用直接接触晶粒连结功率电晶体封件之第三项具体实例之透视图。
地址 美国
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