发明名称 半导体用密封组合物、半导体装置及半导体装置的制造方法
摘要 本发明提供一种半导体用密封组合物,其可形成薄的树脂层,且可抑制金属成分向多孔的层间绝缘层中扩散,并且配线材料的密接性优异。本发明的半导体用密封组合物是以如下方式而构成:使钠及钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下的半导体用密封组合物中,含有具有2个以上的阳离子性官能团的重均分子量为2000~100000的树脂,并且通过动态光散射法而测定的体积平均粒径达到10nm以下。
申请公布号 CN102224577A 申请公布日期 2011.10.19
申请号 CN201080003315.1 申请日期 2010.05.28
申请人 三井化学株式会社 发明人 小野升子;高村一夫
分类号 H01L21/312(2006.01)I;C09K3/10(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L21/312(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 钟晶;於毓桢
主权项 一种半导体用密封组合物,其含有具有2个以上的阳离子性官能团的重均分子量为2000~100000的树脂,以元素基准计钠及钾的含量分别为10重量ppb以下,且通过动态光散射法而测定的体积平均粒径为10nm以下。
地址 日本东京都