| 发明名称 | 装置与半导体元件的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种装置，包括半导体元件，且半导体元件包括：半导体基板，有沟道区；高介电常数的介电层，位于至少部分沟道区上；栅极，位于至少分沟道区上与介电层上，其中栅极实质上为金属；以及栅极接点，接合栅极位于沟道区上。本发明也提供一种形成半导体元件的方法，包括：提供具有道区的半导体基板；形成高介电常数的介电层于至少部分沟道区上；形成栅于介电层上与至少部分沟道区上，且栅极实质上为金属；以及形成栅极接点沟道区上并接合栅极。本发明中，栅极结构不需要额外层，可降低有效栅电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102194875A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010235671.8 | 申请日期 | 2010.07.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄学理;张立伟;周汉源 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种装置，包括一半导体元件，且该半导体元件包括：一半导体基板，具有一沟道区；一高介电常数的介电层，位于至少部分该沟道区上；一栅极，位于至少部分该沟道区上与该介电层上，其中该栅极实质上为金属；以及一栅极接点，接合该栅极并位于该沟道区上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||