| 发明名称 | 栅极结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路的制造方法，尤其涉及一种具栅极结构的半导体装置的制造方法。一种栅极结构的制造方法包括：提供一硅基板；沉积并图案化一虚置氧化层和一虚置栅极电极层于基板上；形成一牺牲层环绕虚置氧化层和虚置栅极电极层；形成一含氮介电层环绕牺牲层；形成一层间介电层环绕含氮介电层；移除虚置栅极电极层；移除虚置氧化层；移除牺牲层以形成一开口于含氮介电层中；沉积一栅极介电层；以及沉积一栅极电极。本发明的栅极结构增加的尺寸足够宽以容纳“后高介电常数”工艺的栅极介电层厚度，由此维持此元件的效能。 | ||
| 申请公布号 | CN102194680A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010241532.6 | 申请日期 | 2010.07.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 冯家馨;王海艇;蔡瀚霆;郑振辉;吕伟元;罗先庆;陈冠仲 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种栅极结构的制造方法，包括：提供一硅基板；沉积并图案化一虚置氧化层和一虚置栅极电极层于该基板上；形成一牺牲层环绕该虚置氧化层和该虚置栅极电极层；形成一含氮介电层环绕该牺牲层；形成一层间介电层环绕该含氮介电层；移除该虚置栅极电极层；移除该虚置氧化层；移除该牺牲层以形成一开口于该含氮介电层中；沉积一栅极介电层；以及沉积一栅极电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||