Nitridhalbleiterbauelement

摘要

Es wird ein Halbleiterbauelement beschrieben. Bei einer Ausführungsform enthält das Bauelement eine Gruppe-III-Nitridkanalschicht (3) und eine Gruppe-III-Nitridbarrierenschicht (4) auf der Gruppe-III-Nitridkanalschicht (3), wobei die Gruppe-III-Nitridbarrierenschicht (4) einen ersten Abschnitt (4-1) und einen zweiten Abschnitt (4-2) umfasst, wobei der erste Abschnitt (4-1) eine Dicke kleiner als der zweite Abschnitt (4-2) umfasst. Eine p-dotierte Gruppe-III-Nitridgateschichtsektion (5) ist mindestens auf dem ersten Abschnitt (4-1) der Gruppe-III-Nitridbarrierenschicht (4) ausgebildet und ein Gatekontakt (10) ist auf der p-dotierten Gruppe-III-Nitridgateschichtsektion (5) ausgebildet.