| 主权项 |
一种平面倒F/单极混合型天线，包括：一馈入部；一接地部；一高频辐射体，包括一第一辐射部以及一第二辐射部，该第二辐射部系自该第一辐射部延伸而出，其中该第一辐射部大致平行于一水平面，该第二辐射部大致平行于一垂直面，且该垂直面与该水平面相互垂直；一低频辐射部，包括一第三辐射部以及一第四辐射部，该第四辐射部系自该第三辐射部延伸而出，且延伸方向大致上与该第三辐射部垂直，其中该第三辐射部大致平行于该水平面，该第四辐射部大致平行于该垂直面；以及一连接部，连接该馈入部、该接地部、该高频辐射体以及该低频辐射体。如申请专利范围第1项所述之平面倒F/单极混合型天线，其中，该第二辐射部的表面大致上垂直于该第一辐射部的表面。如申请专利范围第1项所述之平面倒F/单极混合型天线，其中，该第四辐射部的表面大致上垂直于该第三辐射部的表面。如申请专利范围第1项所述之平面倒F/单极混合型天线，其中，该第一辐射部的延伸方向大致上平行于该第三辐射部。如申请专利范围第1项所述之平面倒F/单极混合型天线，其中，该第二辐射部的延伸方向大致上平行于该第四辐射部。如申请专利范围第1项所述之平面倒F/单极混合型天线，其中，该高频辐射体之共振频率范围为1710-1880MHz以及1850-1990MHz。如申请专利范围第1项所述之平面倒F/单极混合型天线，其中，该低频辐射体之共振频率范围为824-894MHz以及880-960MHz。如申请专利范围第1项所述之平面倒F/单极混合型天线，其中，该馈入部以及该接地部中至少有一为弹片。一种行动通讯装置，包括：一电路板，包括一馈入点、一接地点以及一净空区，其中该电路板平行于一水平面；一平面倒F/单极混合型天线，包括：一馈入部，电性连接于该馈入点；一接地部，电性连接于该接地点；一高频辐射体，包括一第一辐射部以及一第二辐射部，该第一辐射部位于该净空区旁，该第二辐射部连接于该第一辐射部并朝向该电路板的内侧而延伸，其中该第一辐射部大致平行于该水平面，该第二辐射部大致平行于一垂直面，且该垂直面与该水平面相互垂直；一低频辐射体，包括一第三辐射部以及一第四辐射部，该第三辐射部位于该净空区旁，该第四辐射部连接于该第三辐射部并朝向该电路板的内侧而延伸，其中该第三辐射部大致平行于该水平面，该第四辐射部大致平行于该垂直面；以及一连接部，连接该馈入部、该接地部、该高频辐射体以及该低频辐射体。如申请专利范围第9项所述之行动通讯装置，其中，该第二辐射部的表面大致上垂直于该第一辐射部的表面。如申请专利范围第9项所述之行动通讯装置，其中，该第四辐射部的表面大致上垂直于该第三辐射部的表面。如申请专利范围第9项所述之行动通讯装置，其中，该第二辐射部距离该电路板大约2.2mm。如申请专利范围第9项所述之行动通讯装置，其中，该第四辐射部距离该电路板大约2.2mm。如申请专利范围第9项所述之行动通讯装置，其中，该高频辐射体之共振频率范围为1710-1880MHz以及1850-1990MHz。如申请专利范围第9项所述之行动通讯装置，其中，该低频辐射体之共振频率范围为824-894MHz以及880-960MHz。如申请专利范围第9项所述之行动通讯装置，其中，该平面倒F/单极混合型天线之接地部为一弹片，抵接于该电路板的接地点。如申请专利范围第9项所述之行动通讯装置，其更包括一天线座，该平面倒F/单极混合型天线系固定于该天线座上。如申请专利范围第17项所述之行动通讯装置，其中，该天线座的材质为塑胶。如申请专利范围第17项所述之行动通讯装置，其中，该平面倒F/单极混合型天线系藉由超音波热熔方式固定于该天线座上。如申请专利范围第17项所述之行动通讯装置，其中系利用一螺丝固定该天线座于该电路板上。如申请专利范围第20项所述之行动通讯装置，其中系利用该螺丝使该馈入部及该馈入点之间产生电性连接。 |
