发明名称 一种生长蓝宝石晶体的方法
摘要 本发明公开了一种生长蓝宝石晶体的方法,为定向凝固下降法,即,在蓝宝石晶体生长初期,从熔体底部以定向凝固法生长,温场均匀降温,生长固液界面自下而上移动,晶体逐渐生长;在蓝宝石晶体生长中后期,启动下降机构,坩埚以一定速率均匀下降;晶体生长结束,缓慢降温至室温,取出晶体。本发明的定向凝固下降法生长技术成功地结合了定向凝固法和下降法生长技术,有效继承了两者的优点,却又显著改善了这两种生长技术的缺点,该生长技术不仅能生长出大尺寸、高质量的LED衬底用蓝宝石晶体材料,同时也提高了蓝宝石晶体的生长成品率、降低了蓝宝石晶体的生长成本。
申请公布号 CN102140689A 申请公布日期 2011.08.03
申请号 CN201110054601.7 申请日期 2011.03.08
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 李红军;胡克艳;徐军;郭鑫;苏良碧;陈伟超;钱小波;唐慧丽
分类号 C30B29/20(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/20(2006.01)I
代理机构 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人 何葆芳
主权项 一种生长蓝宝石晶体的方法,其特征在于:为定向凝固下降法,即,在蓝宝石晶体生长初期,从熔体底部以定向凝固法生长,温场均匀降温,生长固液界面自下而上移动,晶体逐渐生长;在蓝宝石晶体生长中后期,启动下降机构,坩埚以一定速率均匀下降;晶体生长结束,缓慢降温至室温,取出晶体。
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号