发明名称 Planarer Thermosäulen-Infrarotsensor
摘要 Infrarotsensor umfassend: ein Wärmeableitersubstrat (10) mit Bereichen (12) relativ hoher thermischer Leitfähigkeit und Bereichen (14) relativ niedriger thermischer Leitfähigkeit; eine ebene Thermoelementschicht (16) mit einem heißen Übergang (18) und einem kalten Übergang (20), welcher heiße Übergang (18) auf einem Bereich (14) des Wärmeableitersubstrats mit relativ niedriger thermischer Leitfähigkeit angeordnet ist; eine dielektrische Schicht (22) mit niedriger thermischer Leitfähigkeit, die über der Thermoelementschicht (16) angeordnet ist und ein Durchgangsloch (24) aufweist, der zu dem heißen Übergang (18) führt; eine IR-Reflektorschicht (26), welche die dielektrische Schicht (22) niedriger thermischer Leitfähigkeit und die Seitenwände des Durchgangslochs (24) abdeckt, wobei eine Öffnung in der IR-Reflektorschicht (26) an der Stelle des heißen Übergangs vorgesehen ist; und einen IR-Absorber (30; 30') innerhalb des Durchgangskontaktes.
申请公布号 DE112009002170(T5) 申请公布日期 2011.07.28
申请号 DE20091102170T 申请日期 2009.09.07
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 BOUTCHICH, MOHAMED;BATAILLOU, BENOIT
分类号 G01J5/12 主分类号 G01J5/12
代理机构 代理人
主权项
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