| 主权项 |
一种平面切换型液晶配向单体，系为下述式(I)所示化合物之结构：@sIMGTIF!d10006.TIF@eIMG!其中，R系选自于氢、甲基、卤素、氰基所组成的群组，m、n系为≧0的整数，而A系选自于下列基团所组成的群组：其中，X系为C≧1的烷基或卤烷基。@sIMGTIF!d10007.TIF@eIMG!如申请专利范围第1项所述平面切换型液晶配向单体，其中，该卤烷基系为氟烷基。如申请专利范围第1项所述平面切换型液晶配向单体，其中，该X系为@sIMGCHAR!d10019.TIF@eIMG!。一种平面切换型液晶显示器，包括有一第一基板、一与该第一基板对向设置的第二基板以及一设置于该第一基板与该第二基板间的液晶层，该第一基板上设有至少一布有相互对应之像素电极与公共电极的像素区域，其特征在于：该第一基板与该第二基板上各设有由下述式(I)所示化合物结构聚合后所形成之第一配向膜与第二配向膜；@sIMGTIF!d10008.TIF@eIMG!其中，R系选自于氢、甲基、卤素、氰基所组成的群组，m、n系为≧0的整数，而A系选自于下列基团所组成的群组：@sIMGTIF!d10009.TIF@eIMG!其中，X系为C≧1的烷基或卤烷基。如申请专利范围第4项所述平面切换型液晶显示器，其中，该卤烷基系为氟烷基。如申请专利范围第4项所述平面切换型液晶显示器，其中，该X系为@sIMGCHAR!d10020.TIF@eIMG!。如申请专利范围第4项所述平面切换型液晶显示器，其中，该液晶层填充有平面切换型液晶。如申请专利范围第4项所述平面切换型液晶显示器，其中，该第一基板上设有一第一配向电极。如申请专利范围第4项所述平面切换型液晶显示器，其中，该第二基板上设有一第二配向电极。一种平面切换型液晶显示器之制造方法，主要包括步骤有：提供相互平行对应之一第一基板与一第二基板；注入一液晶混合物于该第一基板与该第二基板之间，该液晶混合物包含成分有一液晶材料以及下述式(I)所示化合物结构之配向单体：@sIMGTIF!d10010.TIF@eIMG!其中，R系选自于氢、甲基、卤素、氰基所组成的群组，m、n系为≧0的整数，而A系选自于下列基团所组成的群组：@sIMGTIF!d10011.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10012.TIF@eIMG!其中，X系为C≧1的烷基或卤烷基；以及聚合该式(I)所示之配向单体，分别于该第一基板与该第二基板上形成第一配向膜与第二配向膜。如申请专利范围第10项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中更具有一设置一第一配向电极于该第一基板上之步骤。如申请专利范围第10项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中更具有一设置一第二配向电极于该第二基板上之步骤。如申请专利范围第11或12项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中更具有一施以加电压之加压电压配向的步骤。如申请专利范围第13项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该加电压≧1V。如申请专利范围第10项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该配向单体相对于该液晶材料之重量百分比率为0.1%至10%。如申请专利范围第10项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该液晶混合物系以灌注法注入于第一基板与该第二基板之间。如申请专利范围第10项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该液晶混合物系以液晶滴下法注入于第一基板与该第二基板之间。如申请专利范围第10项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该卤烷基系为氟烷基。如申请专利范围第10项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该X系为@sIMGCHAR!d10021.TIF@eIMG!。如申请专利范围第10项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该液晶混合物内具有一硬化起始剂。如申请专利范围第10或20项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该式(I)所示之配向单体系以能量光照射之方式进行聚合反应。如申请专利范围第21项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该能量光系为可见光或紫外光。如申请专利范围第10项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中于聚合该式(I)所示之配向单体之后更具有一加热固化配向单体的步骤。如申请专利范围第23项所述平面切换型液晶显示器之制造方法，其中，该加热温度≧120℃。 |
