| 主权项 |
一种影像感测器，其包括复数个画素，其中至少一画素包括：一半导体基底，具有一感光区；以及一第一电极及一第二电极，嵌入于该半导体基底内，其中该第一及第二电极形成以一阵列排列之复数个狭缝，该些狭缝用以使具有一特定波长的光通过该感光区。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该具有特定波长的光包括红、绿及蓝光。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该阵列系圆形。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该阵列系矩形。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该些狭缝之厚度约介于100nm至600nm。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该些狭缝之间隔约介于20nm至100nm。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该些狭缝之间距约介于180至500nm。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，更包括一第二画素，于该第二画素中之狭缝的厚度、间隔及间距至少有一不相同。如申请专利范围第1项所述之影像感测器，其中该第一及第二电极包括一具导电性之金属。如申请专利范围第9项所述之影像感测器，其中该具导电性之金属系选自铜、银及金所组成之群组。如申请专利范围第9项所述之影像感测器，更包括一电压，实施于该第一及第二电极之间，以在感光区内形成电场以感测光。一种影像感测器，包括：一半导体基底；复数个画素，形成于该半导体基底上；以及复数个狭缝，分别嵌入于每个画素中，其中该些狭缝用以使具有一特定波长之光通过该些画素。如申请专利范围第12项所述之影像感测器，其中该些狭缝包括金属。如申请专利范围第12项所述之影像感测器，其中至少一狭缝之厚度约介于100nm至600nm，间隔约介于20nm至100nm，以及间距约介于180至500nm。如申请专利范围第12项所述之影像感测器，其中该些画素系选自光二极体、重置开关电晶体、源极随耦电晶体、铰接感光二极体及传导电晶体所组成之群组。一种影像感测器的制造方法：提供一半导体基底；形成复数个画素于该半导体基底上；以及形成复数个狭缝嵌入于每个画素中，其中该些狭缝用以使具有一波长之光通过该些画素。如申请专利范围第16项所述之影像感测器的制造方法，其中该些狭缝之厚度约介于100nm至600nm，间隔约介于20nm至100nm，以及间距约介于180至500nm。如申请专利范围第16项所述之影像感测器的制造方法，其中该些画素系选自光二极体、重置开关电晶体、源极随耦电晶体、铰接感光二极体及传导电晶体所组成之群组。如申请专利范围第16项所述之影像感测器的制造方法，其中该些狭缝系由一第一电极及一第二电极所形成。如申请专利范围第16项所述之影像感测器的制造方法，更包括实施一电压于该第一及第二电极之间，用以形成电场以感测该波长之光。 |
