| 发明名称 | 非易失性存储器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种包括具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。 | ||
| 申请公布号 | CN1976039B | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200610136072.4 | 申请日期 | 2006.10.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 文昌郁;李相睦;柳寅儆;李升运;埃尔·M·布里姆;李殷洪;赵重来 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种存储器，包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点，其中该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层，其中该纳米结构层形成在该第二金属层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||