发明名称 转印膜结构
摘要 本发明涉及一种转印膜结构,其特征在于包括一基底薄膜层;一离型层,设置于该基底薄膜层的上表面;一第一硬化膜层,设置于该离型层的上表面;一饰绞层,设置于该第一硬化膜层的上表面;一第二硬化膜层,设置于该饰纹层的上表面;以及一黏着膜层,设置于该第二硬化膜层的上表面。本发明在饰纹层和黏着膜层之间增设第二硬化膜层,第二硬化膜层将可阻挡黏着膜层的胶水渗入饰纹层,以防止油墨图纹遭受破坏,并可同时强化膜层结构强度,从而达到提升转印膜制程合格率的功效。
申请公布号 CN102059871A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN201010553124.4 申请日期 2010.11.22
申请人 琨诘电子(昆山)有限公司 发明人 曾水泉
分类号 B41M5/00(2006.01)I;B32B27/06(2006.01)I;B44C5/04(2006.01)I 主分类号 B41M5/00(2006.01)I
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人 董建林;王寿刚
主权项 转印膜结构,其特征在于包括一基底薄膜层;一离型层,设置于该基底薄膜层的上表面;一第一硬化膜层,设置于该离型层的上表面;一饰绞层,设置于该第一硬化膜层的上表面;一第二硬化膜层,设置于该饰纹层的上表面;以及一黏着膜层,设置于该第二硬化膜层的上表面。
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