发明名称 用于铝酸锂晶体材料的高精密平坦化方法
摘要 一种用于铝酸锂晶体材料的高精密平坦化方法,其特征在于该方法包括下列步骤:①用碱性SiO2抛光液进行化学机械抛光,对(100)面和(302)面的γ-LiAlO2晶片进行化学机械抛光;②清洗;③在空气气氛下低温快速退火,退火温度为750~850℃,退火时间为15分钟~1小时。本发明可以得到表面粗糙度RMS值<0.4nm的铝酸锂晶片。本发明具有低成本、高精度的优点。
申请公布号 CN101407429B 申请公布日期 2011.04.20
申请号 CN200810202605.3 申请日期 2008.11.12
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明人 贾婷婷;林辉;滕浩;周圣明
分类号 C04B41/53(2006.01)I 主分类号 C04B41/53(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 张泽纯
主权项 一种用于铝酸锂晶体材料的高精密平坦化方法,其特征在于该方法包括下列步骤:①用碱性SiO2抛光液进行化学机械抛光,对(100)面的γ‑LiAlO2晶片和(302)面的γ‑LiAlO2晶片进行化学机械抛光,所述的碱性SiO2抛光液的配制方法是:将粒径为20~50nm,浓度为40~50%的SiO2溶胶用去离子水稀释,去离子水含量0~90wt%;用pH调节剂调整pH值,PH值调节剂为KOH及乙二胺四乙酸四,KOH∶乙二胺四乙酸四=1∶1~20,使其PH值控制在9~13.5范围内;在调节完pH值后,边搅拌边加入表面活性剂,所用表面活性剂为O11‑7((C10H21‑C6H4‑O‑CH2CH2O)70‑H),其含量为0.1~20wt%,均匀混合后制成所述的碱性SiO2抛光液;②清洗;③在空气气氛下低温快速退火,退火温度为750~850℃,退火时间为15分钟~1小时。
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