| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une diode électroluminescente à haut rendement (DEL) comprenant : un substrat (21), une structure de couche épitaxiale (22), une cathode, une anode, un composé d'étanchéité transparent (10) et une couche de polyimide (25). La couche de polyimide (25) recouvre des surfaces de la structure de couche épitaxiale (22) et du substrat (21). Le composé d'étanchéité transparent (10) recouvre la couche de polyimide (25), le substrat (21), la structure de couche épitaxiale (22), la cathode et l'anode. La couche de polyimide (25) de la présente invention possédant un indice de réfraction plus élevé, afin de réduire la réflexion interne totale et la consommation optique entraînées par la lumière diffusée à partir de la structure de couche épitaxiale (22) et du composé d'étanchéité transparent (10).</p> |
