发明名称 高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法
摘要 本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤:对衬底进行预处理;第一阶段,实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件;第二阶段,实现外延材料质量提高的渐变调制——工艺参数从应力释放条件渐变到高质量生长条件;以周期调制的方式连续重复第一阶段和第二阶段;生长材料达到预定厚度时停止生长;以及将材料的生长效果作为反馈,调整质量调制幅度参数,确定下次材料的生长条件。本发明解决了材料异质外延的两个主要问题,兼顾了材料质量的提高和应力的有效释放,并引入了控制参数质量调制幅度,实现对质量和应力的有效控制,能够良好地实现高质量单晶厚膜材料的异质外延。
申请公布号 CN101962803A 申请公布日期 2011.02.02
申请号 CN201010526918.1 申请日期 2010.10.30
申请人 北京大学 发明人 杜彦浩;吴洁君;张国义;于彤军;杨志坚;康香宁;贾传宇;孙永健;罗伟科;刘鹏
分类号 C30B25/16(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I 主分类号 C30B25/16(2006.01)I
代理机构 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人 贾晓玲
主权项 一种高质量单晶厚膜材料的异质外延方法,其特征在于,包括以下步骤:i.对衬底材料进行生长预处理;ii.外延生长第一阶段,实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件逐渐变化到应力释放生长条件;iii.外延生长第二阶段,实现外延材料质量提高的渐变调制——工艺参数从应力释放生长条件逐渐回到高质量生长条件;iv.以周期调制的方式重复第一阶段和第二阶段,逐渐生长出厚膜;v.生长的材料达到预定厚度后停止生长;以及vi.将厚膜材料的生长效果作为反馈,调整质量调制幅度参数,确定下次材料的生长条件。
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