发明名称 |
高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法 |
摘要 |
本发明公开一种高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法。该方法包括如下步骤:对衬底进行预处理;第一阶段,实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件渐变到应力释放生长条件;第二阶段,实现外延材料质量提高的渐变调制——工艺参数从应力释放条件渐变到高质量生长条件;以周期调制的方式连续重复第一阶段和第二阶段;生长材料达到预定厚度时停止生长;以及将材料的生长效果作为反馈,调整质量调制幅度参数,确定下次材料的生长条件。本发明解决了材料异质外延的两个主要问题,兼顾了材料质量的提高和应力的有效释放,并引入了控制参数质量调制幅度,实现对质量和应力的有效控制,能够良好地实现高质量单晶厚膜材料的异质外延。 |
申请公布号 |
CN101962803A |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN201010526918.1 |
申请日期 |
2010.10.30 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
杜彦浩;吴洁君;张国义;于彤军;杨志坚;康香宁;贾传宇;孙永健;罗伟科;刘鹏 |
分类号 |
C30B25/16(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B25/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
代理人 |
贾晓玲 |
主权项 |
一种高质量单晶厚膜材料的异质外延方法,其特征在于,包括以下步骤:i.对衬底材料进行生长预处理;ii.外延生长第一阶段,实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件逐渐变化到应力释放生长条件;iii.外延生长第二阶段,实现外延材料质量提高的渐变调制——工艺参数从应力释放生长条件逐渐回到高质量生长条件;iv.以周期调制的方式重复第一阶段和第二阶段,逐渐生长出厚膜;v.生长的材料达到预定厚度后停止生长;以及vi.将厚膜材料的生长效果作为反馈,调整质量调制幅度参数,确定下次材料的生长条件。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |