发明名称 阴极射线管及其制造方法
摘要 一种阴极射线管,包括一面板,于其上形成具高折射率且导电之第一透明层和具低折射率之第二透明层。藉此,面板外表面之反射率可降低,同时可得抗静电的性质。
申请公布号 TW321779 申请公布日期 1997.12.01
申请号 TW082104347 申请日期 1993.06.01
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 槷智纪;奥田博志
分类号 H01J9/04 主分类号 H01J9/04
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种具有面板的阴极射线管,包括:一第一透明层,其形成于面板之外表面上,有高折射率且导电;及一第二透明层,其形成于第一透明层之外表面上,有低折射率;且第一透明层的折射率比第二透明层高,第一透明层在水平扫描频率30kHz以上、45kHz以下(含45kHz)时,具有表面电阻値4.5103以下,或者在水平扫描频率45kHz以上时,具有表面电阻値103以下。2.一种制造阴极射线管的方法,包括下列步骤:在阴极射线管面板之外表面上,形成一第一透明层,其系由含有三氧化二铟(indium oxide;In2O3)的超微细粒子散布着的矽烷氧化物(siliocnalkoxide)及-OH和/或-OR基之基之酒精溶液,涂布于面板之外表面而形成;以及在第一透明层之外表面上,形成一第二透明层,其系将矽烷氧化物-OH和/或-OR基之酒精溶液,涂布于第一透明层之外表面而形成。3.依据申请专利范围第2项之方法,其中在形成第一透明层和形成第二透明层之步骤间,尚包括一固化第一透明层之步骤。4.一种制造阴极射线管的方法,包括下列步骤:在阴极射线管面之外表面上,形成一第一透明层,其系由氧化鍚(tinoxide;SnO2),以化学蒸气沈积法(chemicalvapor deposition:CVD)而形成;以及在第一透明层之外表面上,形成一第二透明层,其系由将矽烷氧化物及-OH和/或-OR基之酒精溶液,涂布于第一透明层之外表面而形成。5.依据申请专利范围第4项之方法,其中在形成第一透明层和形成第二透明层之步骤间,尚包括一固化第一透明层之步骤。图示简单说明:第一图为依照本发明实施例1之阴极射线管侧面图;第二图为双层涂料之放大截面图;第三图为本发明实施例1之表面电位衰减特性图;第四图为本发明实施例1之表面反射光谱图;以及第五图为传统阴极射线管之侧面图。
地址 日本