| 发明名称 | 高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，尤其公开了一种高迁移率垂直沟槽DMOSFET及其制造方法。该高迁移率垂直沟槽DMOSFET的源极区域，漏极区域或沟道区域可以包括提高沟道区域中的电荷载流子的迁移率的硅锗。在一些实施例中，该沟道区域可以受到应变以提高沟道电荷载流子的迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN101425539B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200810169855.1 | 申请日期 | 2008.09.26 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | 弗兰茨娃·赫尔伯特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 徐雯琼 |
| 主权项 | 一种高迁移率垂直沟槽双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，该器件包括：一沟槽栅极；一设置在沟槽栅极旁边的顶部源极区域；一设置在沟槽栅极底部下方的底部漏极区域；和一接近于源极区域和漏极区域之间的沟槽栅极的侧壁的沟道区域，其中，该沟道区域受到应变以提高沟道电荷载流子的迁移率。 | ||
| 地址 | 百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院 | ||