| 发明名称 | 提高SONOS闪存数据保存能力的结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高SONOS闪存数据保存能力的结构及方法，包括：位于底部的隧穿氧层和位于顶部的高温热氧化层，在隧穿氧层和高温热氧化层中间还包括上下两层电荷存储层；在所述的两层电荷存储层中间有电荷陷阱层。本发明在电荷存储层中加入陷阱层从而形成鞍状能带间隙形状的结构，不但能够有效提高ONO对电荷的捕获和保持能力；同时通过改善有效电荷捕获陷阱到隧穿氧化膜的距离，降低陷阱-能带隧穿的发生几率，从而提高电荷的存储能力以及写入/擦除后的阈值电压窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN101924109A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200910057409.6 | 申请日期 | 2009.06.11 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王函;林钢 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种提高SONOS闪存数据保存能力的结构，包括：位于底部的隧穿氧层和位于顶部的高温热氧化层，其特征在于，在隧穿氧层和高温热氧化层中间还包括上下两层电荷存储层；在所述的两层电荷存储层中间有电荷陷阱层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||