一种制作STI的衬氧化层的方法

摘要

本发明提供了一种制作STI的衬氧化层的方法，STI的衬氧化层制作是在密封装置内在蚀刻好的硅基底上直接氧化制作，它包括以下步骤：1.使密封装置进行初次升温的同时通入惰性气体；2.进入密封装置的再次升温，使其达到制作STI的衬氧化层的温度，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体，生长STI的衬氧化层；3.进行STI的衬氧化层退火，同时向密封装置内通入惰性气体和氧化气体；4.使密封装置进行初次降温，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体；5.进行密封装置的再次降温，同时向所述密封装置内通入惰性气体。该方法可有效解决传统制作方法导致的有源区损伤问题，提高制作效率和衬氧化层的覆盖率。

主权项

一种制作STI的衬氧化层的方法，所述STI的衬氧化层制作是在密封装置内在蚀刻好的硅基底上直接氧化制作，其特征在于，所述制作STI的衬氧化层方法包括以下步骤：步骤1：使密封装置进行初次升温的同时通入惰性气体；步骤2：进入密封装置的再次升温，使其达到制作STI的衬氧化层的温度950摄氏度～1150摄氏度，同时向所述密封装置内通入所述惰性气体和氧化气体，生长STI的衬氧化层；步骤3：进行STI的衬氧化层退火，同时向所述密封装置内通入所述惰性气体和所述氧化气体；步骤4：使密封装置进行初次降温，同时向所述密封装置内通入所述惰性气体和所述氧化气体；步骤5：进行密封装置的再次降温，同时向所述密封装置内通入所述惰性气体。