| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种解决因三次元半导体的SGT(环绕栅极晶体管)的寄生电阻的增加造成功率消耗的增大以及动作速度的下降，实现SGT的高速化、低功率消耗的半导体器件。本发明的半导体器件，其特征在于，具备：第一硅柱，形成于半导体衬底上；第二硅柱，形成于所述第一硅柱上；第一绝缘体，围绕所述第二硅柱表面的一部分；栅极，围绕所述第一绝缘体；第三硅柱，形成于所述第二硅柱上；第一金属硅化物，围绕所述第一硅柱表面的一部分；以及第二金属硅化物，围绕所述第三硅柱表面的一部分；其中，通过所述第一金属硅化物与所述第一硅柱所形成的接触电阻及通过所述第二金属硅化物与所述第三硅柱所形成的接触电阻分别比所述半导体器件的基准电阻小。 | ||
| 申请公布号 | CN101897008A | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
| 申请号 | CN200780101904.1 | 申请日期 | 2007.12.12 |
| 申请人 | 日本优尼山帝斯电子株式会社 | 发明人 | 舛冈富士雄;工藤智彦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，具备：第一硅柱，形成于半导体衬底上；第二硅柱，形成于所述第一硅柱上；第一绝缘体，围绕所述第二硅柱表面的一部分；栅极，围绕所述第一绝缘体；第三硅柱，形成于所述第二硅柱上；第一金属硅化物，围绕所述第一硅柱表面的一部分；以及第二金属硅化物，围绕所述第三硅柱表面的一部分；其中，通过所述第一金属硅化物与所述第一硅柱所形成的接触电阻及通过所述第二金属硅化物与所述第三硅柱所形成的接触电阻分别比所述半导体器件的基准电阻小。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||