发明名称 用于磁性随机存取记忆体卡之磁性屏蔽结构
摘要
申请公布号 TWI333626 申请公布日期 2010.11.21
申请号 TW092122591 申请日期 2003.08.18
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 安德烈M. 史宾瑟;柯尼 里姆斯;柯林 史托毕斯
分类号 G06F3/06 主分类号 G06F3/06
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种记忆体卡,其包含:至少一由一基体所承载之磁性随机存取记忆体;以及一记忆体卡盖体,其配置于该磁性随机存取记忆体及该基体上以形成一记忆体卡,该记忆体卡盖体形成该记忆体卡之一外部部份;其中该记忆体卡盖体包含嵌入于该记忆体卡盖体内之磁性屏蔽微粒,其中该磁性屏蔽微粒至少部份地屏蔽该磁性随机存取记忆体而使之隔离于外部磁场。一种记忆体卡,其包含:至少一由一基体所承载之磁性随机存取记忆体;一记忆体卡盖体,其配置于该磁性随机存取记忆体及该基体上以形成一记忆体卡,该记忆体卡盖体形成该记忆体卡之一外部部份;以及一插入于该磁性随机存取记忆体与该记忆体卡盖体之间的磁性屏蔽材料,其中该磁性屏蔽材料至少部份地屏蔽该磁性随机存取记忆体而使之隔离于外部磁场。如申请专利范围第2项之记忆体卡,其中该磁性屏蔽材料系位于该记忆体卡盖体之一内部表面上。如申请专利范围第2项之记忆体卡,其中该磁性屏蔽材料系由非导体材料形成。如申请专利范围第2项之记忆体卡,其中提供复数个该磁性随机存取记忆体,以及其中该磁性屏蔽材料填入相邻磁性随机存取记忆体之间的间隔。如申请专利范围第1或2项之记忆体卡,进一步包含一施加于该基体之相对于该磁性随机存取记忆体的一侧之磁性屏蔽层。
地址 南韩