发明名称 |
一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器 |
摘要 |
本发明属于信息存储技术领域,具体涉及一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器。所述存储器结构:依次为衬底、电子束蒸发或磁控溅射制备的薄膜底电极、脉冲激光淀积或磁控溅射制备的铁酸铋薄膜,以及顶部电极。本发明使用一种新型铁电半导体材料铁酸铋薄膜,具有高达5.4A/cm2的极性调制二极管电流密度,非常适合于高密度信息的存储应用,存储的信息同时兼具非易失性、抗疲劳性、抗辐射性和阻变存储的非破坏性读取功能,提高了非易失性存储单元的编程/擦除速度(皮秒量级),具有广阔发展空间和市场潜力。 |
申请公布号 |
CN101859779A |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN201010175142.3 |
申请日期 |
2010.05.13 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
江安全;刘骁兵 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;G11C11/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器,其特征在于,依次为衬底(1)、电子束蒸发或磁控溅射制备的薄膜底电极(2)、脉冲激光淀积或磁控溅射制备的铁酸铋薄膜(3),以及顶部电极(4)。 |
地址 |
200433 上海市邯郸路220号 |