发明名称 Optoelektronischer Halbleiterchip
摘要 <p>In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) basiert dieser auf einem Nitrid-Materialsystem und umfasst mindestens einen aktiven Quantentrog (2). Der mindestens eine aktive Quantentrog (2) ist dazu eingerichtet, im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiterhin weist der mindestens eine aktive Quantentrog (2) in einer Richtung parallel zu einer Wachstumsrichtung z des Halbleiterchips (1) N aufeinanderfolgende Zonen (A) auf, wobei N eine natürliche Zahl größer oder gleich 2 ist. Zumindest zwei der Zonen (A) des aktiven Quantentrogs (2) weisen einen voneinander verschiedenen mittleren Indiumgehalt c auf. Weiterhin erfüllt der mindestens eine aktive Quantentrog (2) die Bedingung: $I1.</p>
申请公布号 DE102009015569(A1) 申请公布日期 2010.10.07
申请号 DE20091015569 申请日期 2009.03.30
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 AVRAMESCU, ADRIAN STEFAN;QUEREN, DESIREE;EICHLER, CHRISTOPH;SABATHIL, MATTHIAS;LUTGEN, STEPHAN;STRAUS, UWE
分类号 H01L33/00;H01L29/15;H01L29/205 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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