发明名称 |
Optoelektronischer Halbleiterchip |
摘要 |
<p>In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) basiert dieser auf einem Nitrid-Materialsystem und umfasst mindestens einen aktiven Quantentrog (2). Der mindestens eine aktive Quantentrog (2) ist dazu eingerichtet, im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiterhin weist der mindestens eine aktive Quantentrog (2) in einer Richtung parallel zu einer Wachstumsrichtung z des Halbleiterchips (1) N aufeinanderfolgende Zonen (A) auf, wobei N eine natürliche Zahl größer oder gleich 2 ist. Zumindest zwei der Zonen (A) des aktiven Quantentrogs (2) weisen einen voneinander verschiedenen mittleren Indiumgehalt c auf. Weiterhin erfüllt der mindestens eine aktive Quantentrog (2) die Bedingung: $I1.</p> |
申请公布号 |
DE102009015569(A1) |
申请公布日期 |
2010.10.07 |
申请号 |
DE20091015569 |
申请日期 |
2009.03.30 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
AVRAMESCU, ADRIAN STEFAN;QUEREN, DESIREE;EICHLER, CHRISTOPH;SABATHIL, MATTHIAS;LUTGEN, STEPHAN;STRAUS, UWE |
分类号 |
H01L33/00;H01L29/15;H01L29/205 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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