发明名称 |
凸点光刻机的曝光方法 |
摘要 |
本发明提供一种凸点光刻机的曝光方法,该方法首先获取前道工序晶圆片信息及曝光场数据,并通过覆盖式优化图形规划,将若干个前道曝光场合并扩大成新的后道曝光场,最后在所述覆盖式优化图形规划的基础上,对曝光场分布中新的曝光场进行曝光路径规划和批处理流程规划。与现有技术相比,采用本发明的凸点光刻机的曝光方法能够提高凸点光刻机的曝光产率。 |
申请公布号 |
CN101086627B |
申请公布日期 |
2010.10.06 |
申请号 |
CN200710040350.0 |
申请日期 |
2007.04.29 |
申请人 |
上海微电子装备有限公司 |
发明人 |
姚名;何乐;陈敏;王彦麟 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G06F17/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种凸点光刻机的曝光方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)获取前道工序晶圆片信息及曝光场数据;(2)进行覆盖式优化图形规划,将若干个前道曝光场合并扩大成新的后道曝光场;(3)在所述覆盖式优化图形规划的基础上,对曝光场分布中后道曝光场进行曝光路径规划和批处理流程规划,其中曝光路径规划是指对后道曝光场进行曝光路径的规划,包括改良式标准路径和采用最小步进成本旅行商LCBB算法确定的优化路径的规划;批处理流程规划则是在批处理过程中灵活控制掩模图形的曝光次序,如果在批处理奇次晶圆片时,先曝光较大尺寸的曝光场,再曝光小尺寸的曝光场的话,那么在批处理偶次晶圆片时,就倒过来先曝光小尺寸的曝光场,再曝光大尺寸的曝光场,从而在批处理这两张晶圆片的过程中用于切换掩模图形的时间减少了一半,其中,所述覆盖式优化图形规划包括以下步骤:根据前道曝光场分布数据,构造前道曝光场原始分布;对前道曝光场进行状态判断;根据前道曝光场计算出后道曝光场的宽高,以及后道曝光场中含有前道曝光场的个数;通过位置坐标的矩阵转换将前道曝光场位置转换为后道曝光场位置;对后道曝光场进行状态判断;根据曝光模式对获取的后道曝光场分布进行筛选,输出图形规划结果。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技园区张东路1525号 |